Número de pieza del fabricante | DSK10E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DSK10E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSK10E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R-1 (Axial) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSK10E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSK10E-FT |
NTS260SFT3G
ON Semiconductor
MBR120LSFT1G
ON Semiconductor
NRVB120LSFT1G
ON Semiconductor
NRVB230LSFT1G
ON Semiconductor
NTS245SFT1G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120ESFT3G
ON Semiconductor
NRVHP120SFT3G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB130LSFT1G
ON Semiconductor
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel