casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DSK10E-ET1
Número de pieza del fabricante | DSK10E-ET1 |
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Número de parte futuro | FT-DSK10E-ET1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSK10E-ET1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R-1 (Axial) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSK10E-ET1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSK10E-ET1-FT |
NRVB230LSFT1G
ON Semiconductor
NTS245SFT1G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120ESFT3G
ON Semiconductor
NRVHP120SFT3G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB130LSFT1G
ON Semiconductor
NRVTS260ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB120ESFT3G
ON Semiconductor
NHP120SFT3G
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel