casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DSK10E-BT
Número de pieza del fabricante | DSK10E-BT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DSK10E-BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSK10E-BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R-1 (Axial) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSK10E-BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSK10E-BT-FT |
NRVB120LSFT1G
ON Semiconductor
NRVB230LSFT1G
ON Semiconductor
NTS245SFT1G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120ESFT3G
ON Semiconductor
NRVHP120SFT3G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB130LSFT1G
ON Semiconductor
NRVTS260ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB120ESFT3G
ON Semiconductor
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel