casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DSB10I45PM
Número de pieza del fabricante | DSB10I45PM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DSB10I45PM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB10I45PM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 45V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 560mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 7mA @ 45V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220FP |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB10I45PM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSB10I45PM-FT |
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel