casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DSAI75-12B
Número de pieza del fabricante | DSAI75-12B |
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Número de parte futuro | FT-DSAI75-12B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSAI75-12B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 110A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.17V @ 150A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 6mA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 180°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSAI75-12B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSAI75-12B-FT |
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.