casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DS75-12B
Número de pieza del fabricante | DS75-12B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DS75-12B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS75-12B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 110A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.17V @ 150A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 6mA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 180°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS75-12B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS75-12B-FT |
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel