casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS3030W-100#
Número de pieza del fabricante | DS3030W-100# |
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Número de parte futuro | FT-DS3030W-100# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS3030W-100# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-BGA (27x27) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS3030W-100# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS3030W-100#-FT |
DS2502P-E64+
Maxim Integrated
DS2431P+T&R
Maxim Integrated
DS28EC20P+T
Maxim Integrated
DS2431P+
Maxim Integrated
DS24L65P+T
Maxim Integrated
DS2502P-E48+T&R
Maxim Integrated
DS28E05P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+
Maxim Integrated
DS28E22P+
Maxim Integrated
DS28EC20P+
Maxim Integrated
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel