casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E25+
Número de pieza del fabricante | DS28E25+ |
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Número de parte futuro | FT-DS28E25+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.97V ~ 3.63V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E25+-FT |
AS6C4016A-55ZIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55ZINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024C-12TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024C-12TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJINTR
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel