casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E10R+T
Número de pieza del fabricante | DS28E10R+T |
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Número de parte futuro | FT-DS28E10R+T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E10R+T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 224b (28 x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E10R+T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E10R+T-FT |
AS7C1024B-15TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-10TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-10TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-12TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-12TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-15TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-15TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel