casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E01G-100+T&R
Número de pieza del fabricante | DS28E01G-100+T&R |
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Número de parte futuro | FT-DS28E01G-100+T&R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E01G-100+T&R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (256 x 4) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.85V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-SFN (6x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E01G-100+T&R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E01G-100+T&R-FT |
DS2502S+T&R
Maxim Integrated
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DS2431X+
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A3P015-QNG68I
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EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel