casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS24B33S+T&R
Número de pieza del fabricante | DS24B33S+T&R |
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Número de parte futuro | FT-DS24B33S+T&R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS24B33S+T&R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (256 x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.8V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS24B33S+T&R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS24B33S+T&R-FT |
W25Q80JVSSIQ
Winbond Electronics
W25Q64FWSSIG
Winbond Electronics
W25Q128JVSIQ
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W25Q64JVSSIM TR
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W25Q16FWSSIQ
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W25Q80DVSSIG
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIG
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W25Q128FWSIG
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W25Q64JVSSIQ TR
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W25Q80EWSSIG
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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XC7VX415T-1FFG1157I
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LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
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