casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2227-070
Número de pieza del fabricante | DS2227-070 |
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Número de parte futuro | FT-DS2227-070 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2227-070 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Socket |
Paquete / Caja | 72-SIMM |
Paquete del dispositivo del proveedor | 72-SIMM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2227-070 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2227-070-FT |
CH376-80032
Cypress Semiconductor Corp
CH376-80033
Cypress Semiconductor Corp
CH393-80022
Cypress Semiconductor Corp
CH393-80023
Cypress Semiconductor Corp
CM753-80029
Cypress Semiconductor Corp
CM753-80031
Cypress Semiconductor Corp
CN547-80027
Cypress Semiconductor Corp
CP5884AF
Cypress Semiconductor Corp
CQ191-80056
Cypress Semiconductor Corp
CR231-80027
Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel