casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2045Y-100#
Número de pieza del fabricante | DS2045Y-100# |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DS2045Y-100# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2045Y-100# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-BGA (27x27) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2045Y-100# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2045Y-100#-FT |
DS2431P-A1+
Maxim Integrated
DS2505P+
Maxim Integrated
DS2502P+
Maxim Integrated
DS28E15P+
Maxim Integrated
DS28E25P+
Maxim Integrated
DS2502P-E64+
Maxim Integrated
DS2431P+T&R
Maxim Integrated
DS28EC20P+T
Maxim Integrated
DS2431P+
Maxim Integrated
DS24L65P+T
Maxim Integrated
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel