casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2016R-100+
Número de pieza del fabricante | DS2016R-100+ |
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Número de parte futuro | FT-DS2016R-100+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016R-100+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016R-100+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2016R-100+-FT |
DS28E05P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+
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Maxim Integrated
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel