casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2016R-100+
Número de pieza del fabricante | DS2016R-100+ |
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Número de parte futuro | FT-DS2016R-100+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016R-100+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016R-100+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2016R-100+-FT |
DS28E05P+T
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XC6SLX150T-2FGG484I
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M1A3P400-2PQG208
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LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel