casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1330ABP-70IND+
Número de pieza del fabricante | DS1330ABP-70IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1330ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1330ABP-70IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1330ABP-70IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1330ABP-70IND+-FT |
IS41LV16257C-35TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16257C-35TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
LH28F008SAT-85
Sharp Microelectronics
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
Sharp Microelectronics
LH28F008SCT-L85
Sharp Microelectronics
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel