casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1330ABP-70IND+
Número de pieza del fabricante | DS1330ABP-70IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1330ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1330ABP-70IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1330ABP-70IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1330ABP-70IND+-FT |
IS41LV16257C-35TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16257C-35TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
LH28F008SAT-85
Sharp Microelectronics
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
Sharp Microelectronics
LH28F008SCT-L85
Sharp Microelectronics
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel