casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1330ABP-70IND+
Número de pieza del fabricante | DS1330ABP-70IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1330ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1330ABP-70IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1330ABP-70IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1330ABP-70IND+-FT |
IS41LV16257C-35TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16257C-35TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
LH28F008SAT-85
Sharp Microelectronics
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
Sharp Microelectronics
LH28F008SCT-L85
Sharp Microelectronics
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel