casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1270W-100IND#
Número de pieza del fabricante | DS1270W-100IND# |
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Número de parte futuro | FT-DS1270W-100IND# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1270W-100IND# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1270W-100IND# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1270W-100IND#-FT |
AT93C86-10SC-2.7
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AT93C86-10SI-2.7
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W25X20CLUXIG TR
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W25Q80DVUXIE TR
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XC3S200A-5FG320C
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M2GL010-VFG400I
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5SGXMBBR3H43C2LN
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XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
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