casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1270AB-100#
Número de pieza del fabricante | DS1270AB-100# |
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Número de parte futuro | FT-DS1270AB-100# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1270AB-100# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1270AB-100# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1270AB-100#-FT |
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