casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1258W-100
Número de pieza del fabricante | DS1258W-100 |
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Número de parte futuro | FT-DS1258W-100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1258W-100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 40-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258W-100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1258W-100-FT |
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
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DS24L65P+
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DS28E07P+T
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DS2430AP+T&R
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DS2502P+T&R
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DS2505P+T&R
Maxim Integrated
DS28E15P+T
Maxim Integrated
AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel