casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1258W-100
Número de pieza del fabricante | DS1258W-100 |
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Número de parte futuro | FT-DS1258W-100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1258W-100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 40-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258W-100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1258W-100-FT |
DS28EC20P+
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DS2502P-E48+
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DS2502P+T&R
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Maxim Integrated
DS28E15P+T
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX24-FPQG208
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EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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