casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1258AB-100
Número de pieza del fabricante | DS1258AB-100 |
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Número de parte futuro | FT-DS1258AB-100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1258AB-100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 40-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258AB-100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1258AB-100-FT |
DS2430AP+
Maxim Integrated
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Maxim Integrated
DS2502P+T&R
Maxim Integrated
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
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5AGXFA5H4F35I3
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EP2AGX260FF35I3N
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EP4SGX70HF35C3
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