casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1230ABP-70IND+
Número de pieza del fabricante | DS1230ABP-70IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1230ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230ABP-70IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230ABP-70IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1230ABP-70IND+-FT |
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
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LH28F008SCT-L85
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LH28F016SCT-L95
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M29F080D70N1
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M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
SST49LF016C-33-4C-EIE
Microchip Technology
SST49LF016C-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
AT21CS01-MSHMHU-T
Microchip Technology
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel