casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1230ABP-100+
Número de pieza del fabricante | DS1230ABP-100+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1230ABP-100+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230ABP-100+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230ABP-100+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1230ABP-100+-FT |
MT29F32G08FAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08MADWC:D TR
Micron Technology Inc.
AT49F008AT-12TC
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE
Microchip Technology
AT45CS1282-TC
Microchip Technology
AT45CS1282-TI
Microchip Technology
AT45DB1282-TC
Microchip Technology
AT45DB1282-TI
Microchip Technology
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel