casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1220AD-120+
Número de pieza del fabricante | DS1220AD-120+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1220AD-120+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220AD-120+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 120ns |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AD-120+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1220AD-120+-FT |
SST25VF020B-80-4I-Q3AE
Microchip Technology
USBF4100T-I/NPVAO
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W25Q40BWUXIE TR
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24LC512-I/ST14G
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24LC512T-I/ST14
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A40MX02-VQG80M
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XC3SD1800A-4CS484LI
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XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
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EP20K200EQC240-1X
Intel