casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5033AJQLPGM
Número de pieza del fabricante | DRV5033AJQLPGM |
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Número de parte futuro | FT-DRV5033AJQLPGM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5033AJQLPGM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Omnipolar Switch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | Either |
Rango de detección | ±12mT Trip, ±1mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5033AJQLPGM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5033AJQLPGM-FT |
MRMS511M
Murata Electronics North America
MRMS511M-001
Murata Electronics North America
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
MRMS571A
Murata Electronics North America
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
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A3P1000L-FGG484
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M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
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LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
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