casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5015A3QDBZR
Número de pieza del fabricante | DRV5015A3QDBZR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DRV5015A3QDBZR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5015A3QDBZR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | North Pole, South Pole |
Rango de detección | 3.7mT Trip, -3.7mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.8mA |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Digital |
Caracteristicas | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A3QDBZR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5015A3QDBZR-FT |
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD506-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD520-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD521-02E
NVE Corp/Sensor Products
AX250-1FGG484M
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP4CE115F23I7N
Intel
EP3C16F256C8N
Intel
5SGSED8K2F40C2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676I
Microsemi Corporation