casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5015A2QDBZR
Número de pieza del fabricante | DRV5015A2QDBZR |
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Número de parte futuro | FT-DRV5015A2QDBZR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5015A2QDBZR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | North Pole, South Pole |
Rango de detección | 3.7mT Trip, -3.7mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.8mA |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Digital |
Caracteristicas | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A2QDBZR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5015A2QDBZR-FT |
A3423ELTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3423LLTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425EL
Allegro MicroSystems, LLC
A3425EL-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425ELTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LL
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LL-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LLTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
ABL004-10
NVE Corp/Sensor Products
AH372-SA-7
Diodes Incorporated
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL030V2-UCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
LCMXO1200E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP20K400CB652C7
Intel