casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013BCQDBZT
Número de pieza del fabricante | DRV5013BCQDBZT |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013BCQDBZT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013BCQDBZT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 18mT Trip, -18mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQDBZT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013BCQDBZT-FT |
AD120-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD121-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD122-02E
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AD123-02E
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AD124-02E
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AD204-02E
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AD205-02E
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AD206-02E
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AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD221-02E
NVE Corp/Sensor Products
EPF6016ATC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXEA7K3F35C2
Intel
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation