casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013BCQDBZR
Número de pieza del fabricante | DRV5013BCQDBZR |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013BCQDBZR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013BCQDBZR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 18.5mT Trip, -18.5mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQDBZR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013BCQDBZR-FT |
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
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AD406-02E
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A42MX36-2PQG240
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F484C7
Intel
10M40DCF672I7G
Intel
XC5VSX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG784I
Xilinx Inc.
EP3SL110F780I4L
Intel
EPF10K30ABC356-2
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel