casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013BCQDBZR
Número de pieza del fabricante | DRV5013BCQDBZR |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013BCQDBZR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013BCQDBZR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 18.5mT Trip, -18.5mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQDBZR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013BCQDBZR-FT |
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
EP3C16U256A7N
Intel
5SGXMA7K3F35C2N
Intel
XC7V585T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-3
Intel