casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013BCELPGMQ1
Número de pieza del fabricante | DRV5013BCELPGMQ1 |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013BCELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013BCELPGMQ1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 18mT Trip, -18mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 150°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCELPGMQ1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013BCELPGMQ1-FT |
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO256E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
5SGXEA4K2F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
5SGXEA5H3F35C4N
Intel
AX1000-1FG676
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144A
Microsemi Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel