casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013BCEDBZTQ1
Número de pieza del fabricante | DRV5013BCEDBZTQ1 |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013BCEDBZTQ1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013BCEDBZTQ1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 18mT Trip, -18mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 150°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCEDBZTQ1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013BCEDBZTQ1-FT |
AD705-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD706-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD720-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD721-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD722-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD723-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD724-02E
NVE Corp/Sensor Products
A3423ELTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3423LLTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425EL
Allegro MicroSystems, LLC
A3PN125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2
Intel
EP2S30F672I4N
Intel
5SGXEA5H3F35I3L
Intel
XA6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP3CLS150F780C7N
Intel