casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013AGQLPGM
Número de pieza del fabricante | DRV5013AGQLPGM |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013AGQLPGM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013AGQLPGM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 9mT Trip, -9mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGQLPGM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013AGQLPGM-FT |
MRMS501A
Murata Electronics North America
MRMS501A-001
Murata Electronics North America
MRMS511H
Murata Electronics North America
MRMS511H-001
Murata Electronics North America
MRMS511L
Murata Electronics North America
MRMS511L-001
Murata Electronics North America
MRMS511M
Murata Electronics North America
MRMS511M-001
Murata Electronics North America
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
AX250-1FGG484M
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP4CE115F23I7N
Intel
EP3C16F256C8N
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5SGSED8K2F40C2N
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5SGXMA3K3F40C2N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676I
Microsemi Corporation