casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013AGQDBZR
Número de pieza del fabricante | DRV5013AGQDBZR |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013AGQDBZR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013AGQDBZR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 9mT Trip, -9mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGQDBZR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013AGQDBZR-FT |
AD522-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD623-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQG144M
Microsemi Corporation
XCV600-4FG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP3SE260F1517C4L
Intel
EP3C10E144C7N
Intel
XC7A50T-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation