casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013AGELPGMQ1
Número de pieza del fabricante | DRV5013AGELPGMQ1 |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013AGELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013AGELPGMQ1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 9mT Trip, -9mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 150°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGELPGMQ1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013AGELPGMQ1-FT |
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
MRMS571A
Murata Electronics North America
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-5TQG144C
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XC7S75-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC6VLX130T-L1FF484I
Xilinx Inc.
EP3SL150F780C4LN
Intel