casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013ADQDBZR
Número de pieza del fabricante | DRV5013ADQDBZR |
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Número de parte futuro | FT-DRV5013ADQDBZR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013ADQDBZR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | South Pole |
Rango de detección | 5mT Trip, -5mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 125°C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 38V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQDBZR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5013ADQDBZR-FT |
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD506-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD520-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD521-02E
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AD522-02E
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AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
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AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN125V2-CSG81I
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121TR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD5K2F40I3LN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
EP1S40F1508C5N
Intel
EP1C12Q240C6
Intel