casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5012AEDMRT
Número de pieza del fabricante | DRV5012AEDMRT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DRV5012AEDMRT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5012AEDMRT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | Either |
Rango de detección | 3.3mT Trip, -3.3mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 85°C |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 5.5V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 5mA |
Corriente - Salida (Max) | 5mA |
Tipo de salida | Push-Pull |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Paquete / Caja | 4-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-X2SON (1.1x1.4) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5012AEDMRT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5012AEDMRT-FT |
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DPR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS20DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS20DPR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3202B183ZR-G
Torex Semiconductor Ltd
DRV5032FBDBZT
Texas Instruments
DRV5023AJQDBZT
Texas Instruments
DRV5032FCDBZT
Texas Instruments
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
EP3C16U256A7N
Intel
5SGXMA7K3F35C2N
Intel
XC7V585T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-3
Intel