casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5011ADDBZT
Número de pieza del fabricante | DRV5011ADDBZT |
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Número de parte futuro | FT-DRV5011ADDBZT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5011ADDBZT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Latch |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | North Pole, South Pole |
Rango de detección | ±0.6mT Trip, ±3.8mT Release |
Condición de prueba | -40°C ~ 150°C |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 3mA |
Corriente - Salida (Max) | 30mA |
Tipo de salida | Push-Pull |
Caracteristicas | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 135°C (TA) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5011ADDBZT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRV5011ADDBZT-FT |
AD322-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
LCMXO256E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
5SGXEA4K2F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
5SGXEA5H3F35C4N
Intel
AX1000-1FG676
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144A
Microsemi Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel