casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / DRDP006W-7
Número de pieza del fabricante | DRDP006W-7 |
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Número de parte futuro | FT-DRDP006W-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRDP006W-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP + Diode (Isolated) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDP006W-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRDP006W-7-FT |
BC817-16W-7
Diodes Incorporated
BC846AW-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06Q-7-F
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MMST2222A-7-F
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Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
MMST3904Q-7-F
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel