casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / DRDN010W-7
Número de pieza del fabricante | DRDN010W-7 |
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Número de parte futuro | FT-DRDN010W-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRDN010W-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN + Diode (Isolated) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 18V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDN010W-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRDN010W-7-FT |
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
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MMST3904-7-F
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MMST3904Q-7-F
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BC858BW-7-F
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MMST4126-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO640C-4T100I
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XA3S100E-4CPG132I
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XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel