casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / DRDN010W-7
Número de pieza del fabricante | DRDN010W-7 |
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Número de parte futuro | FT-DRDN010W-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRDN010W-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN + Diode (Isolated) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 18V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDN010W-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRDN010W-7-FT |
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
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Diodes Incorporated
EPF8820ATC144-2N
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XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
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EP2S30F484I4
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5SGSMD5K3F40C3
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5SGXEA9N3F45C3N
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