casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DRA3123J0L
Número de pieza del fabricante | DRA3123J0L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DRA3123J0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA3123J0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SSSMini3-F2-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3123J0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRA3123J0L-FT |
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
PDTC114TK,115
NXP USA Inc.
PDTC114YK,115
NXP USA Inc.
PDTC115EK,115
NXP USA Inc.
PDTC115TK,115
NXP USA Inc.
EPF10K10ATC144-1
Intel
EP2C35U484C8N
Intel
10M16DCF484C7G
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2LG
Intel