casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DRA2152Z0L
Número de pieza del fabricante | DRA2152Z0L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DRA2152Z0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2152Z0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 5.1 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini3-G3-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2152Z0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRA2152Z0L-FT |
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTB123ES,126
NXP USA Inc.
PDTB123TS,126
NXP USA Inc.
PDTB123YS,126
NXP USA Inc.
PDTC114ES,126
NXP USA Inc.
PDTC114TS,126
NXP USA Inc.
PDTC114YS,126
NXP USA Inc.
PDTC115ES,126
NXP USA Inc.
PDTC115TS,126
NXP USA Inc.
PDTC123ES,126
NXP USA Inc.
A1225A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676C
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-2
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel
EP1C20F324C7N
Intel