casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DRA2152Z0L
Número de pieza del fabricante | DRA2152Z0L |
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Número de parte futuro | FT-DRA2152Z0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2152Z0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 5.1 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini3-G3-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2152Z0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRA2152Z0L-FT |
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTB123ES,126
NXP USA Inc.
PDTB123TS,126
NXP USA Inc.
PDTB123YS,126
NXP USA Inc.
PDTC114ES,126
NXP USA Inc.
PDTC114TS,126
NXP USA Inc.
PDTC114YS,126
NXP USA Inc.
PDTC115ES,126
NXP USA Inc.
PDTC115TS,126
NXP USA Inc.
PDTC123ES,126
NXP USA Inc.
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
10M25SCE144A7G
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel