casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DRA2113Z0L
Número de pieza del fabricante | DRA2113Z0L |
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Número de parte futuro | FT-DRA2113Z0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2113Z0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini3-G3-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2113Z0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRA2113Z0L-FT |
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTB123ES,126
NXP USA Inc.
PDTB123TS,126
NXP USA Inc.
PDTB123YS,126
NXP USA Inc.
PDTC114ES,126
NXP USA Inc.
PDTC114TS,126
NXP USA Inc.
PDTC114YS,126
NXP USA Inc.
PDTC115ES,126
NXP USA Inc.
PDTC115TS,126
NXP USA Inc.
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel