casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DRA127-8R2-R
Número de pieza del fabricante | DRA127-8R2-R |
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Número de parte futuro | FT-DRA127-8R2-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA127-8R2-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 6.33A |
Corriente - Saturación | 12.2A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 16 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 165°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-8R2-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRA127-8R2-R-FT |
FPT705-300-R
Eaton - Electronics Division
FP4-200-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
FP3-100-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
LCMXO640C-5TN144C
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LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
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