casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DRA125-8R2-R
Número de pieza del fabricante | DRA125-8R2-R |
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Número de parte futuro | FT-DRA125-8R2-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA125-8R2-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 6.41A |
Corriente - Saturación | 7.9A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 13 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 165°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.236" (6.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA125-8R2-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DRA125-8R2-R-FT |
FP4-150-R
Eaton - Electronics Division
FP3-100-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R20-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R68-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R21-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R15-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R18-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R23-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R25-R
Eaton - Electronics Division
FP1107R2-R40-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
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EP3C25F324C8
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