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Número de pieza del fabricante | DR1050-120-R |
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Número de parte futuro | FT-DR1050-120-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1050 |
DR1050-120-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 12µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 3.94A |
Corriente - Saturación | 4.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 30.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-120-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DR1050-120-R-FT |
9405R-10
API Delevan Inc.
9405R-12
API Delevan Inc.
9405R-14
API Delevan Inc.
9405R-16
API Delevan Inc.
9405R-18
API Delevan Inc.
9405R-20
API Delevan Inc.
9405R-22
API Delevan Inc.
9405R-24
API Delevan Inc.
9405R-26
API Delevan Inc.
9405R-28
API Delevan Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel