casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DNA30E2200PA
Número de pieza del fabricante | DNA30E2200PA |
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Número de parte futuro | FT-DNA30E2200PA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DNA30E2200PA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.26V @ 30A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40µA @ 2200V |
Capacitancia a Vr, F | 7pF @ 700V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DNA30E2200PA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DNA30E2200PA-FT |
DH60-16A
IXYS
DPG30I300HA
IXYS
DPG60I300HA
IXYS
DPG60I400HA
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IXYS
DSDI60-16A
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DLA60I1200HA
IXYS
XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
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M2GL010TS-1VFG256T2
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5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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