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Diodes Incorporated DMT8012LPS-13

Número de pieza de MFG
DMT8012LPS-13
Cantidad disponible
19510 Piezas
Precio de referencia
USD 0.38976
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-DMT8012LPS-13
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMT8012LPS-13 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Ta), 65A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1949pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI5060-8
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT8012LPS-13 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMT8012LPS-13-FT

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