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Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13

Name: DMT69M8LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT69M8LPS-13
Availability: InStock
Rating: 4.5 (295 reviews)

Número de pieza de MFG: DMT69M8LPS-13

Cantidad disponible: 93770 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMT69M8LPS-13.pdf

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DMT69M8LPS-13 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMT69M8LPS-13
Número de parte futuro	FT-DMT69M8LPS-13
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMT69M8LPS-13 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10.2A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1925pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.3W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT69M8LPS-13 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMT69M8LPS-13-FT

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