casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMT6018LDR-13
Número de pieza del fabricante | DMT6018LDR-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMT6018LDR-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT6018LDR-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 869pF @ 30V |
Potencia - max | 1.9W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | V-DFN3030-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6018LDR-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT6018LDR-13-FT |
APTC60HM45T1G
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APTC60HM70BT3G
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