casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated DMT6018LDR-13
- Número de pieza de MFG
- DMT6018LDR-13
- Cantidad disponible
- 58310 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.199384
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Diodes Incorporated
- Breve descripción
- - MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- DMT6018LDR-13.pdf
DMT6018LDR-13 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | DMT6018LDR-13 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-DMT6018LDR-13 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMT6018LDR-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 869pF @ 30V |
| Potencia - max | 1.9W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
| Paquete del dispositivo del proveedor | V-DFN3030-8 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMT6018LDR-13 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | DMT6018LDR-13-FT |
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