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Diodes Incorporated DMT6007LFGQ-7

Name: DMT6007LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6007LFGQ-7
Price: 0.408272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (65 reviews)

Número de pieza de MFG: DMT6007LFGQ-7

Cantidad disponible: 38400 Piezas

Precio de referencia: USD 0.408272

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMT6007LFGQ-7.pdf

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DMT6007LFGQ-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMT6007LFGQ-7
Número de parte futuro	FT-DMT6007LFGQ-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMT6007LFGQ-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	41.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2090pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6007LFGQ-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMT6007LFGQ-7-FT

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