casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT3006LFVQ-13
Número de pieza del fabricante | DMT3006LFVQ-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMT3006LFVQ-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMT3006LFVQ-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1155pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3006LFVQ-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT3006LFVQ-13-FT |
DMT615MLFV-13
Diodes Incorporated
DMT615MLFV-7
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DMTH3004LFG-13
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DMTH6016LFDFWQ-7
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DMTH6016LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
IXFB70N100X
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XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
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EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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