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Diodes Incorporated DMT10H009LSS-13

Name: DMT10H009LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H009LSS-13
Price: 0.436112 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (748 reviews)

Número de pieza de MFG: DMT10H009LSS-13

Cantidad disponible: 54870 Piezas

Precio de referencia: USD 0.436112

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMT10H009LSS-13.pdf

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DMT10H009LSS-13 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMT10H009LSS-13
Número de parte futuro	FT-DMT10H009LSS-13
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMT10H009LSS-13 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13A (Ta), 48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2309pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H009LSS-13 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMT10H009LSS-13-FT

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